导  言

英诺赛科是钛信资本在半导体-氮化镓领域重点投资的龙头项目。公司是全球最大的8英寸氮化镓芯片IDM企业，也是全球唯一能够高低压产品全面出货的企业。

今年第一季度，英诺赛科的GaN芯片出货量突破了5000万颗，销售额达1.5亿，是去年同期的4倍。

基于大规模8英寸硅基氮化镓技术的研发、制造与迭代，英诺赛科的产品质量和成本优势均已在行业体现，并持续渗透消费电子、新能源汽车、数据中心等领域。近日，英诺赛科推出的两款GaN器件以其优越的性能，有力推进了氮化镓在工业领域的应用。

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近期，为了推进GaN在高频市场的应用，英诺赛科基于150V电压平台推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 两款中低压 GaN。

其中 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封装，体积小巧，且开关损耗低，具有良好的效率表现，目前已成功量产。INN150FQ070A，采用  FCQFN 4mmX6mm Pin to pin 兼容引脚设计，已通过小批量试产。

Source：英诺赛科

这两款产品能够满足工业级可靠性要求，主要应用于太阳能系统优化器和微型逆变器，PD充电器与PSU同步整流、通信电源、电机驱动和高频DC-DC转换器等。

从业绩上来看，今年第一季度，英诺赛科的GaN芯片出货量突破了5000万颗，销售额达1.5亿，是去年同期的4倍。同时，依靠8英寸硅基GaN IDM全产业链的优势，英诺赛科40V/100V/150V低压平台也实现全面升级， 40V双向导通产品、100V半桥驱动合封产品等多系列产品相继发布。

GaN进军新蓝海

当前，消费电子是GaN应用的主要驱动力，尤其是在手机快充领域。但在过去几年，基于GaN的手机快充渗透率持续提升，且手机充电器属于低频消费品，更换周期长，当前智能手机出货量又总体萎靡，加之有众多企业涌入手机快充领域，导致该领域已经进入红海市场。所以，对于GaN企业来说，扩展全新的版图显得尤为重要。而to B市场则比较有增长潜力。尤其是在新能源领域，此次英诺赛科的GaN产品被用于太阳能系统的微型逆变器。

光伏之外，GaN上车也成为当前的热门。作为一种高电子迁移率晶体管（HEMT），GaN FET优异的材料和器件特性使其成为汽车电源系统和射频器件中，更先进应用的理想选择。

此外，EV的电力系统常常在高开关频率、高输出电流和高电压下运行，GaN所具备的出色的高频特性可以被用在电动汽车的牵引逆变器、车载充电机（OBC）、DC/DC转换器、激光雷达上的电源模块、汽车座舱内的无线充电等场景中。据悉，欧盟已在2021年启动项目，目标是将GaN的电压提升到1200V，并将晶圆尺寸从6英寸增大到12英寸。目前，英诺赛科GaN已经用于车载激光雷达产品上，且实现了量产。

（来源：化合物半导体市场）