当AI 算力需求爆发、新能源汽车向高效轻量化进阶，第三代半导体氮化镓（GaN）正成为重构产业格局的核心力量。钛信资本重度投资企业、全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体IDM企业——英诺赛科，在2025 年末交出了一份 “技术突破 + 生态落地 + 行业认可” 的三重答卷，更强势切入机器人新赛道，以全栈实力引领 “硅时代” 向 “宽禁带时代” 加速演进。

一、多赛道全面开花，技术落地跑出加速度

1. 6.6kW GaN OBC装车长安汽车，重塑车载电源标杆

英诺赛科与联合动力联手打造的新一代6.6kW车载二合一电源系统，近期顺利在长安汽车实现装车。

该系统集成车载充电器（OBC）与直流变换器（DCDC），搭载英诺赛科 650V 高压 GaN 功率器件，凭借低开关损耗和高频特性实现多重突破：整机功率密度提升 30% 达 4.8kW/L，综合效率超同类产品 2%，重量降低 20%，既为整车节省空间、提升集成灵活性，更让终端用户享受到更快充电速度与更长续航里程，标志着 GaN 技术在车载电源领域的规模化应用迈入新阶段。

2. 全 GaN 方案赋能AI数据中心，定义高效电源新基准

继推出800VDC 机架电源解决方案后，英诺赛科再添重磅合作：与 Allegro 联合打造 4.2kW 全 GaN 参考设计，集成 650V/150V 高性能 GaN 晶体管与先进栅极驱动器技术，功率密度突破 100W/in³，电磁干扰（EMI）显著降低，无源元件数量减少 80%。该方案完美适配 AI 数据中心与边缘计算的高功率、紧凑化需求，可助力电源效率迈向钛金级，为兆瓦级算力集群提供绿色高效的供电支持，持续推动数据中心能源架构升级。

3. 切入机器人黄金赛道，成为人形机器人 “功率神经”

GaN 技术正成为机器人关节驱动的产业共识，英诺赛科已率先实现落地 。国内头部具身智能厂商已在多个关键部位搭载其 GaN 芯片。相较于传统硅基芯片，英诺赛科的GaN 芯片可为机器人提供极致的功率密度与紧凑的体积，更高的能效与续航，更精准的运动控制，并大幅降低电磁干扰。随着机器人这一AI时代最佳终端载体的兴起，氮化镓也将拥有更大的市场空间和增长潜力。

二、生态协同再升级，战略合作打开增长新空间

技术的领先离不开产业生态的支撑。2025 年末，英诺赛科与安森美半导体达成战略合作，通过晶圆采购等方式整合双方优势 —— 英诺赛科全球最大规模的8英寸硅基 GaN 晶圆制造能力，搭配安森美在系统封装与集成领域的深厚经验，将加速 GaN 技术在新能源汽车、AI、工业等关键领域的落地。此次合作预计未来几年将带来数亿美元的 GaN 产品销售，为双方抢占市场先机、扩大行业影响力奠定坚实基础。

作为业内唯一实现1200V至15V全电压GaN量产的 IDM 公司，英诺赛科已构建起从晶圆、分立器件到 IC、模组的全产业链布局，1100 项专利及专利申请构筑起坚实技术壁垒，产品广泛覆盖消费电子、汽车电子、数据中心等多元场景，为生态合作提供了强大的技术支撑。

三、荣誉加身载誉前行，行业认可彰显硬实力

2025 年末，英诺赛科凭借突出的技术创新、市场开拓与 ESG 实践，斩获多项行业重磅荣誉：

不仅与三星、台积电等龙头共同入围TrendForce TechFuture Awards 2025，成为唯一获评 “中国功率半导体先锋奖” 的氮化镓企业；还拿下 AspenCore 全球电子成就奖 “年度功率半导体”、“上市公司最佳 ESG 实践奖”、行家极光奖 “第三代半导体市场开拓领航奖” 等多项殊荣，从技术实力、市场表现到可持续发展能力，全方位获得行业高度认可。