近日，钛信资本投资企业、全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体IDM企业——英诺赛科，正式发布面向800 VDC机架电源架构的全GaN电源解决方案，为新一代AI数据中心提供高效率、高功率密度、低能耗的电源支持。

随着人工智能算力需求爆发，传统48V电源架构已难以满足高功率GPU集群的供电需求。英诺赛科与NVIDIA携手推进的800 VDC架构，可将电流降低16倍，显著减少传输损耗与铜材用量，支持AI数据中心从千瓦级向兆瓦级升级。

英诺赛科第三代GaN器件在800V至1V的全链路转换中展现出显著优势：

·在800V输入侧，驱动损耗降低80%，开关损耗降低50%，整体功耗下降10%；

·在54V输出端，仅需16颗GaN器件即可实现与32颗硅MOSFET相当的导通损耗，功率密度提升一倍；

·全GaN方案还可将开关损耗降低70%，功率输出提升40%，动态响应更优，系统更紧凑。

作为业内唯一实现从1200V至15V全电压GaN量产的IDM公司，英诺赛科具备为AI数据中心提供从高压到低压全链路GaN解决方案的能力，其产品已通过严苛可靠性测试，确保20年以上高性能寿命。

钛信资本持续看好英诺赛科在GaN功率半导体领域的领先地位与产业化能力，相信其技术将推动AI算力基础设施向更高效、更绿色方向演进。